一種倒臺(tái)結(jié)構(gòu)的脊波導(dǎo)激光器芯片制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110689159.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113422294A 公開(kāi)（公告）日 2021-09-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN113422294A 申請(qǐng)公布日 2021-09-21
分類(lèi)號(hào) H01S5/22（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 周鵬;張林建;鮑輝 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 江蘇索爾思通信科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市領(lǐng)專(zhuān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張玲
地址 213200江蘇省常州市金壇區(qū)東城街道晨風(fēng)路1036號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種倒臺(tái)結(jié)構(gòu)的脊波導(dǎo)激光器芯片制作方法，包括，在外延片的表面生長(zhǎng)SiO2層；利用RIE蝕刻SiO2層和InGaAs接觸層，并形成兩條具有所設(shè)定間距的溝槽，溝槽為直槽；利用RIE蝕刻溝槽底部的InGaAsP PQ層；使用第一蝕刻液蝕刻InGaAsP PQ層下方的InP空間層，并在兩條溝槽之間形成直臺(tái)結(jié)構(gòu)的脊條，第一蝕刻液采用設(shè)定比例的HCl與H3PO4混合而成；在溝槽內(nèi)加入第二蝕刻液，利用第二蝕刻液將直臺(tái)結(jié)構(gòu)的脊條蝕刻為倒臺(tái)結(jié)構(gòu)，第二蝕刻液采用設(shè)定比例的HBr與H3PO4混合而成；本方法，采用先蝕刻直臺(tái)結(jié)構(gòu)再蝕刻倒臺(tái)結(jié)構(gòu)的方式制作脊條，可以大大降低工藝難度和成本，不僅可以減少HBr的侵泡時(shí)間，避免蝕刻出鋸齒形貌，有利于增強(qiáng)蝕刻效果、提高后續(xù)芯片的可靠性。