一種倒臺結(jié)構(gòu)的脊波導激光器芯片制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110689159.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113422294A 公開（公告）日 2021-09-21
申請公布號 CN113422294A 申請公布日 2021-09-21
分類號 H01S5/22（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周鵬;張林建;鮑輝 申請（專利權）人 江蘇索爾思通信科技有限公司
代理機構(gòu) 北京市領專知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 張玲
地址 213200江蘇省常州市金壇區(qū)東城街道晨風路1036號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種倒臺結(jié)構(gòu)的脊波導激光器芯片制作方法，包括，在外延片的表面生長SiO2層；利用RIE蝕刻SiO2層和InGaAs接觸層，并形成兩條具有所設定間距的溝槽，溝槽為直槽；利用RIE蝕刻溝槽底部的InGaAsP PQ層；使用第一蝕刻液蝕刻InGaAsP PQ層下方的InP空間層，并在兩條溝槽之間形成直臺結(jié)構(gòu)的脊條，第一蝕刻液采用設定比例的HCl與H3PO4混合而成；在溝槽內(nèi)加入第二蝕刻液，利用第二蝕刻液將直臺結(jié)構(gòu)的脊條蝕刻為倒臺結(jié)構(gòu)，第二蝕刻液采用設定比例的HBr與H3PO4混合而成；本方法，采用先蝕刻直臺結(jié)構(gòu)再蝕刻倒臺結(jié)構(gòu)的方式制作脊條，可以大大降低工藝難度和成本，不僅可以減少HBr的侵泡時間，避免蝕刻出鋸齒形貌，有利于增強蝕刻效果、提高后續(xù)芯片的可靠性。