一種高速光電探測器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110983023.9 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN113707742A 公開（公告）日 2021-11-26
申請公布號(hào) CN113707742A 申請公布日 2021-11-26
分類號(hào) H01L31/0352（2006.01）I;H01L31/105（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭銀銀;周鵬;張林建 申請（專利權(quán)）人 江蘇索爾思通信科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市領(lǐng)專知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 林輝輪;張玲
地址 213200江蘇省常州市金壇區(qū)東城街道晨風(fēng)路1036號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種高速光電探測器及其制備方法，該高速光電探測器包括在襯底上從下至上依次制備形成的N型InP歐姆接觸層、InGaAs吸收層、InP包層以及P型InGaAs歐姆接觸層，所述InGaAs吸收層的截面積小于所述InP包層的截面積。本發(fā)明結(jié)構(gòu)中，InGaAs吸收層的截面積小于所述InP包層的截面積，利用InGaAs本征區(qū)的蘑菇臺(tái)設(shè)計(jì)，即縮小截面積用以降低PIN二極管結(jié)電容，從而獲得更高的帶寬，可以滿足5G高速光傳輸及25G/100G/200G/400G光傳送網(wǎng)領(lǐng)域應(yīng)用的需求。