一種低溫?zé)Y(jié)制備陶瓷電路板方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111098603.6 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN113795091A | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-12-14 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN113795091A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-12-14 |
分類號(hào) | H05K3/38;H05K3/00;C04B37/02 | 分類 | 其他類目不包含的電技術(shù); |
發(fā)明人 | 陳明祥;劉佳欣;劉松坡;黃衛(wèi)軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 武漢利之達(dá)科技股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 湖北高韜律師事務(wù)所 | 代理人 | 鄢志波 |
地址 | 430074 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種低溫?zé)Y(jié)制備陶瓷電路板方法,包括首先向納米金屬顆粒中添加活性金屬顆粒,并加入有機(jī)溶劑,經(jīng)攪拌、脫泡處理后得到納米金屬活性焊膏;然后在陶瓷基片表面通過(guò)絲網(wǎng)印刷涂覆活性焊膏;再在活性焊膏層上覆蓋銅箔,經(jīng)過(guò)低溫?zé)Y(jié)(<300℃)得到陶瓷覆銅板;最后通過(guò)光刻、顯影和刻蝕工藝在銅層上形成圖形,得到單面或雙面陶瓷電路板。利用活性金屬元素可以實(shí)現(xiàn)銅箔與陶瓷基片直接鍵合,采用納米金屬顆粒降低燒結(jié)溫度,得到高強(qiáng)度陶瓷覆銅板。與現(xiàn)有厚膜印刷陶瓷基板(TPC)、直接鍵合銅?陶瓷基板(DBC)和活性金屬焊接陶瓷基板(AMB)制備方法相比,本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單,燒結(jié)溫度低,滿足功率器件封裝及散熱需求。 |
