一種薄膜厚膜混合集成陶瓷基板及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111467922.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114188300A 公開（公告）日 2022-03-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN114188300A 申請(qǐng)公布日 2022-03-15
分類號(hào) H01L23/498（2006.01）I;H01L21/48（2006.01）I;H05K1/02（2006.01）I;H05K1/03（2006.01）I;H05K3/00（2006.01）I;H05K3/06（2006.01）I;H05K3/10（2006.01）I;H05K3/24（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉松坡;黃衛(wèi)軍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 武漢利之達(dá)科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 湖北高韜律師事務(wù)所 代理人 鄢志波
地址 430000湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)高新大道999號(hào)未來(lái)科技城龍山創(chuàng)新園一期C1棟703室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種薄膜/厚膜混合集成陶瓷基板，具體包括采用半導(dǎo)體薄膜工藝制備的薄膜陶瓷基板和采用圖形電鍍工藝制備的厚膜陶瓷基板，兩者共用同一陶瓷基片，并通過(guò)表面金屬層實(shí)現(xiàn)電連接。其中，所述薄膜陶瓷基板含有薄膜多層布線、金屬通孔和金錫合金層，用作電阻、電感、電容等數(shù)字/控制電路；所述厚膜陶瓷基板含有厚金屬層和金屬通孔，用于功率器件封裝。本發(fā)明專利還公開了一種薄膜/厚膜混合集成陶瓷基板制備方法。通過(guò)本發(fā)明，在同一塊陶瓷基片上實(shí)施薄膜與圖形電鍍工藝，實(shí)現(xiàn)薄膜/厚膜陶瓷基板混合集成，提高器件集成度與可靠性。