一種具有超快電子傳輸特性的氧化鋅光陽極及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201910149883.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN109741948B | 公開(公告)日 | 2020-04-17 |
申請公布號 | CN109741948B | 申請公布日 | 2020-04-17 |
分類號 | H01G9/042;H01G9/048;H01G9/20;C01G9/02;B82Y30/00;B82Y40/00 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 史彥濤;李燕茜 | 申請(專利權)人 | 江蘇賽清科技有限公司 |
代理機構 | 北京華仁聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 | 代理人 | 江蘇賽清科技有限公司;浙江賽時科技有限責任公司 |
地址 | 210043 江蘇省南京市江北新區(qū)惠達路9號A座1層 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種具有超快電子傳輸特性的氧化鋅光陽極結構及制備方法,所述光陽極為具有多級結構特征的ZnO粉體,該ZnO結構為多級結構,初級結構為ZnO超細納米片和納米棒,二級結構為花狀微米顆粒;其中,納米片厚度在50nm左右,納米片之間交錯生長,相互連通,形成尺寸在微米級的花瓣狀二級結構;納米棒為陣列狀排列,垂直生在納米片上。 |
