一種實現(xiàn)晶格阻斷的零氣泡Ge/Si異質(zhì)混合集成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910940185.7 申請日 -
公開（公告）號 CN110676158B 公開（公告）日 2022-06-14
申請公布號 CN110676158B 申請公布日 2022-06-14
分類號 H01L21/18（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 柯少穎;陳松巖;黃東林;周錦榮 申請（專利權(quán)）人 閩南師范大學(xué)
代理機構(gòu) 福州元創(chuàng)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 -
地址 363000福建省漳州市薌城區(qū)縣前直街36號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種可實現(xiàn)晶格阻斷的零氣泡Ge/Si異質(zhì)混合集成方法，其具體是通過將非晶結(jié)構(gòu)的Si和Ge雙疊層結(jié)構(gòu)引入到Ge/Si鍵合界面，一方面通過a?Ge的退火晶化實現(xiàn)無氧化層高強度Ge/Si鍵合，另一方面利用a?Si阻斷單晶Si和單晶Ge之間的晶格失配，徹底屏蔽失配位錯來源，并通過疏松結(jié)構(gòu)的a?Si實現(xiàn)鍵合界面副產(chǎn)物的排出和晶格的徹底阻斷，以制備無界面氣泡、無氧化層、無穿透位錯的Ge/Si鍵合界面。