一種無(wú)氣泡無(wú)穿透位錯(cuò)Ge/Si異質(zhì)混合集成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910944976.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110660655B 公開（公告）日 2022-05-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN110660655B 申請(qǐng)公布日 2022-05-03
分類號(hào) H01L21/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 柯少穎;陳松巖;黃東林;周錦榮 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 閩南師范大學(xué)
代理機(jī)構(gòu) 福州元?jiǎng)?chuàng)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 修斯文;蔡學(xué)俊
地址 363000福建省漳州市薌城區(qū)縣前直街36號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種無(wú)氣泡無(wú)穿透位錯(cuò)Ge/Si低溫鍵合方法，所述方法包括Si和Ge基底材料的處理、Ge薄膜的晶化、拋光、Ge/Si鍵合。本發(fā)明利用多晶Ge的疏松結(jié)構(gòu)和存在晶界的特點(diǎn)對(duì)Ge/Si鍵合界面的氣泡進(jìn)行吸收和轉(zhuǎn)移，實(shí)現(xiàn)零氣泡的Ge/Si鍵合界面。其次利用多晶Ge晶向混亂的性質(zhì)將Ge和Si單晶體隔離開來(lái)，使得Ge和Si之間的晶格失配得到緩解，因此能有效的限制穿透位錯(cuò)的成核，實(shí)現(xiàn)穿透位錯(cuò)密度的進(jìn)一步降低。