一種制造溝槽MOSFET的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210380606.7 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN114496762A 公開(公告)日 2022-05-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN114496762A 申請(qǐng)公布日 2022-05-13
分類號(hào) H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王加坤;姚兆銘 申請(qǐng)(專利權(quán))人 杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 代理人 -
地址 310051浙江省杭州市濱江區(qū)西興街道聯(lián)慧街6號(hào)1-1201
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實(shí)施例公開了一種制造溝槽MOSFET的方法,包括:對(duì)半導(dǎo)體基底生長(zhǎng)一層熱氧化層、沉積硬掩膜以及刻蝕形成從半導(dǎo)體上表面延伸至其內(nèi)部的溝槽;于溝槽內(nèi)形成側(cè)氧化層;于溝槽注入硬掩膜;在溝槽中形成覆蓋溝槽的底部和下部側(cè)壁的屏蔽導(dǎo)體;將熱氧化層去除;進(jìn)行濕法刻蝕,以去除側(cè)氧化層;于溝槽上方沉積氧化層;刻蝕氧化層,使氧化層的上表面低于屏蔽導(dǎo)體的上表面;于溝槽內(nèi)、氧化層上方生成柵介質(zhì)層和柵極導(dǎo)體,柵介質(zhì)層位于溝槽的上部側(cè)壁,且將柵極導(dǎo)體與半導(dǎo)體基底隔開;以及于半導(dǎo)體基底形成體區(qū)、源區(qū)以及漏極電極。本發(fā)明通過改善了多晶柵形貌,進(jìn)而優(yōu)化器件的質(zhì)量因子。