分離柵MOSFET及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111635852.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114678275A 公開（公告）日 2022-06-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN114678275A 申請(qǐng)公布日 2022-06-28
分類號(hào) H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔡金勇;董仕達(dá);王加坤 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 310051浙江省杭州市濱江區(qū)西興街道聯(lián)慧街6號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開了一種分離柵MOSFET及其制造方法。該制造方法包括：形成從第一摻雜類型的半導(dǎo)體層的上表面延伸至其內(nèi)部的第一槽；利用第一槽形成與第一槽連通的第二槽，第一槽和第二槽的延伸方向一致；形成覆蓋第二槽內(nèi)表面的第一介質(zhì)層，覆蓋第一槽內(nèi)表面第二介質(zhì)層；形成位于第二槽的第一導(dǎo)體，第一介質(zhì)層將第一導(dǎo)體與半導(dǎo)體層隔離；形成覆蓋在第一導(dǎo)體表面的第三介質(zhì)層；形成位于第一槽的第二導(dǎo)體，第二介質(zhì)層將第二導(dǎo)體與半導(dǎo)體層隔離，第三介質(zhì)層將第一導(dǎo)體與第二導(dǎo)體隔離；形成位于半導(dǎo)體層鄰近第一槽，并與第一槽相鄰的第二摻雜類型的體區(qū)，其中，第一槽的內(nèi)徑大于第二槽的內(nèi)徑。該制造方法擴(kuò)展了工藝窗口，有利于形成第三介質(zhì)層。