金屬氧化物半導(dǎo)體器件與其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111427488.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114171577A 公開（公告）日 2022-03-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN114171577A 申請(qǐng)公布日 2022-03-11
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I;H01L21/8234（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫鶴;王加坤 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 丁俊萍
地址 310051浙江省杭州市濱江區(qū)西興街道聯(lián)慧街6號(hào)1-1201
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種金屬氧化物半導(dǎo)體器件與其制作方法。金屬氧化物半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體基體、場氧化層、第一JFET注入?yún)^(qū)與第二JFET注入?yún)^(qū)。半導(dǎo)體基體上表面定義有源區(qū)與多個(gè)柵極區(qū)，每一有源區(qū)被多個(gè)柵極區(qū)環(huán)繞，并且多個(gè)柵極區(qū)是互相交錯(cuò)而形成重疊的柵極交匯區(qū)。場氧化層局部地覆蓋柵極交匯區(qū)。第一JFET注入?yún)^(qū)是通過注入離子至半導(dǎo)體基體的上表面所形成，并且位于柵極交匯區(qū)，其中，第一JFET注入?yún)^(qū)是環(huán)繞場氧化層在柵極交匯區(qū)的投影區(qū)的配置。第二JFET注入?yún)^(qū)是通過注入離子至半導(dǎo)體基體的上表面所形成，并且位于多個(gè)柵極區(qū)中。本發(fā)明提升擊穿電壓，進(jìn)而提升了器件在柵極交匯區(qū)的對(duì)角方向上的耐壓性能，改善器件的穩(wěn)定性。