碳化硅功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111197940.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114203820A 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN114203820A 申請公布日 2022-03-18
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊嘯;陳輝 申請（專利權(quán)）人 杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 羅泳文
地址 310051浙江省杭州市濱江區(qū)西興街道聯(lián)慧街6號1-1201
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種碳化硅功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括：第一導(dǎo)電類型襯底、第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)、第二導(dǎo)電類型體區(qū)、第一導(dǎo)電類型源區(qū)、第二導(dǎo)電類型基區(qū)、結(jié)型場效應(yīng)晶體管區(qū)、第二導(dǎo)電類型屏蔽區(qū)、柵極結(jié)構(gòu)、絕緣層及源極金屬層。本發(fā)明通過將源極接觸窗口設(shè)置為至少有一條邊線不超出第二導(dǎo)電類型體區(qū)與該邊線對應(yīng)的邊緣，從而縮小源極接觸窗口的面積，使源極金屬層只在局部與第一導(dǎo)電類型源區(qū)接觸。本發(fā)明可以有效將碳化硅功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的總面積進(jìn)一步縮小，增大溝道長度和結(jié)型場效應(yīng)晶體管區(qū)面積與器件結(jié)構(gòu)的總面積的比值，即增大了溝道密度和結(jié)型場效應(yīng)晶體管區(qū)的密度，進(jìn)而減小器件結(jié)構(gòu)的比導(dǎo)通電阻。