分離柵功率MOS器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110975073.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114156183A 公開(kāi)（公告）日 2022-03-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN114156183A 申請(qǐng)公布日 2022-03-08
分類號(hào) H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王加坤;吳兵 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 蔡純;張靖琳
地址 310051浙江省杭州市濱江區(qū)西興街道聯(lián)慧街6號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開(kāi)了一種分離柵功率MOS器件及其制造方法，方法包括：在襯底上形成外延層，在外延層中形成溝槽；在外延層表面和溝槽中形成第一絕緣層；在空腔中填充多晶硅并進(jìn)行回蝕刻；在第一柵極導(dǎo)體的表面旋轉(zhuǎn)涂布形成第二絕緣層；在第二絕緣層上形成掩膜，去除外延層表面和溝槽中所述掩膜側(cè)壁的第一絕緣層，暴露溝槽的上部；在溝槽上部的側(cè)壁和外延層的表面形成柵氧化層；在溝槽的上部中形成第二柵極導(dǎo)體。本申請(qǐng)的分離柵功率MOS器件的制造方法中，采用SOG工藝形成第二絕緣層，在回蝕刻第一絕緣層時(shí)采用掩膜保護(hù)第二絕緣層，降低了第二絕緣層厚度過(guò)厚或過(guò)薄的問(wèn)題，從而降低了第一柵極導(dǎo)體與第二柵極導(dǎo)體之間的耐壓和漏電問(wèn)題。