溝槽型功率器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111652594.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114512545A 公開（公告）日 2022-05-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN114512545A 申請(qǐng)公布日 2022-05-17
分類號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊嘯;陳輝;王加坤 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 310051浙江省杭州市濱江區(qū)西興街道聯(lián)慧街6號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開了溝槽型功率器件及其制造方法。所述溝槽型功率器件包括：半導(dǎo)體襯底；位于所述半導(dǎo)體襯底上的漂移區(qū)；位于所述漂移區(qū)中的第一溝槽和第二溝槽；位于所述第一溝槽中的柵疊層；以及位于所述第二溝槽側(cè)壁上的肖特基金屬，其中，所述肖特基金屬與所述漂移區(qū)形成肖特基勢(shì)壘二極管。該溝槽型功率器件采用雙溝槽結(jié)構(gòu)，將溝槽型MOSFET和肖特基勢(shì)壘二極管相結(jié)合且將肖特基金屬形成在溝槽側(cè)壁上，不僅可以提高功率器件的性能，而且可以減小功率器件的單元面積。