一種碳化硅MOSFET器件及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210155406.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114496801A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114496801A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-05-13 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 羅佳敏;孫鶴 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專(zhuān)利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 310051浙江省杭州市濱江區(qū)西興街道聯(lián)慧街6號(hào)1-1201 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種碳化硅MOSFET器件的制造方法，包括在漏極上形成第一摻雜類(lèi)型的襯底；在襯底上形成第一摻雜類(lèi)型的漂移區(qū)；在漂移區(qū)上形成多個(gè)第二摻雜類(lèi)型的體區(qū)；淀積/生長(zhǎng)場(chǎng)氧化層，特別地，在A多晶柵極區(qū)有場(chǎng)氧化層遮擋；JFET注入，使得：鄰近A多晶柵極區(qū)的漂移區(qū)沒(méi)有JFET注入，而鄰近B多晶柵極區(qū)內(nèi)的漂移區(qū)有JFET注入；移除場(chǎng)氧化層，并進(jìn)行：有源源蝕刻、柵極層生長(zhǎng)、多晶硅沉積、多晶硅蝕刻；源CT和柵CT刻蝕，P+注入；金屬沉積和蝕刻；以及鈍化/聚酰亞胺沉積和蝕刻。本發(fā)明在不改變工藝步驟且不增加工藝流程的前提下，僅對(duì)JFET注入屏蔽做修改，在A多晶柵極區(qū)的場(chǎng)氧化層下方不做JFET注入。藉此，當(dāng)MOS承受反向耐壓時(shí)A多晶柵極區(qū)下方JFET區(qū)更容易耗盡，不影響器件耐壓。 |
