提升耐壓工藝窗口的超結(jié)器件
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111487782.2 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN113889525B | 公開(公告)日 | 2022-03-18 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN113889525B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-18 |
分類號(hào) | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/165(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 李呂強(qiáng);陳輝;王加坤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 賀妮妮 |
地址 | 310051浙江省杭州市濱江區(qū)西興街道聯(lián)慧街6號(hào)1-1201 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種提升耐壓工藝窗口的超結(jié)器件,包括:半導(dǎo)體襯底;沉積于半導(dǎo)體襯底上的外延層,外延層包括第一半導(dǎo)體層及層疊于其上的第二半導(dǎo)體層,且第一半導(dǎo)體層的禁帶寬度大于第二半導(dǎo)體層的禁帶寬度;形成于外延層中的超結(jié)結(jié)構(gòu),超結(jié)結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)第一導(dǎo)電類型的第一外延柱及至少一個(gè)第二導(dǎo)電類型的第二外延柱,第一外延柱與第二外延柱橫向交替排布。通過采用具有夾層結(jié)構(gòu)的外延層制備超結(jié)結(jié)構(gòu),由于下層的禁帶寬度大于上層的禁帶寬度,當(dāng)超結(jié)結(jié)構(gòu)在中部區(qū)域電場(chǎng)高于兩端的電場(chǎng)時(shí),由于第一半導(dǎo)體層的臨界電場(chǎng)大于第二半導(dǎo)體層的臨界電場(chǎng),可以保證中部區(qū)域不提前擊穿,從而可以在保證超結(jié)結(jié)構(gòu)的高耐壓下擴(kuò)大耐壓工藝窗口。 |
