一種分柵結(jié)構(gòu)的半浮柵晶體管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111414300.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114220741A 公開（公告）日 2022-03-22
申請公布號 CN114220741A 申請公布日 2022-03-22
分類號 H01L21/336（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/788（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 晁鑫;王晨;陳琳;孫清清;張衛(wèi) 申請（專利權(quán)）人 復(fù)旦大學(xué)
代理機(jī)構(gòu) 北京得信知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 孟海娟
地址 200433上海市楊浦區(qū)邯鄲路220號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種分柵結(jié)構(gòu)的半浮柵晶體管及其制備方法。該分柵結(jié)構(gòu)的半浮柵晶體管包括襯底，其形成有P阱區(qū)、N阱區(qū)和U型槽，其中，N阱區(qū)位于P阱區(qū)上方，U型槽貫穿N阱區(qū)；第一柵氧化層，形成在所述U型槽表面并延伸覆蓋部分所述N阱區(qū)表面，且在一側(cè)形成有窗口；半浮柵，覆蓋所述第一柵氧化層并完全填充所述U型槽，且在窗口處與N阱區(qū)相接觸；控制柵介質(zhì)層、控制柵和掩膜層，控制柵介質(zhì)層覆蓋所述半浮柵，控制柵和掩膜層依次形成在所述控制柵介質(zhì)層上；分離柵介質(zhì)層和分離柵，分離柵介質(zhì)層形成在N阱區(qū)表面并延伸覆蓋部分掩膜層表面，分離柵覆蓋分離柵介質(zhì)層并填充分離柵區(qū)域；源區(qū)和漏區(qū)，分別形成在所述控制柵和分離柵兩側(cè)，所述N阱區(qū)中。