一種MOSFET

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202120385825.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN214313215U 公開（公告）日 2021-09-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN214313215U 申請(qǐng)公布日 2021-09-28
分類號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 潘繼;徐鵬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無錫沃達(dá)科半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫市匯誠(chéng)永信專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 朱曉林
地址 214000江蘇省無錫市新吳區(qū)菱湖大道200號(hào)中國(guó)傳感網(wǎng)國(guó)際創(chuàng)新園E2-401室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種MOSFET，通過將MOSFET的柵極多晶硅層從中間區(qū)域引至邊緣，然后通過第四電極與柵極金屬電連接，而且由于第二柵極多晶硅層的底部設(shè)有第三氧化層、第二柵極多晶硅層的周圍設(shè)有氧化層，能夠使第二柵極多晶硅層承受漏極電壓，不用開設(shè)相應(yīng)的接口溝槽以及在接口溝槽中設(shè)置提供保護(hù)作用的氧化層，這樣MOSFET在刻蝕時(shí)由于第一溝槽至第M溝槽的整體寬度差異小于0.1um.不用擔(dān)心有顆粒殘留在溝槽中。