一種MOSFET及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110194286.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112768531A | 公開（公告）日 | 2021-05-07 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112768531A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-07 |
| 分類號(hào) | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 潘繼;徐鵬 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 無錫沃達(dá)科半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無錫市匯誠永信專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 朱曉林 |
| 地址 | 214000江蘇省無錫市新吳區(qū)菱湖大道200號(hào)中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園E2-401室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種MOSFET及其制造方法，通過將MOSFET的柵極多晶硅層從中間區(qū)域引至邊緣，然后通過第四電極與柵極金屬電連接，而且由于第二柵極多晶硅層的底部設(shè)有第三氧化層、第二柵極多晶硅層的周圍設(shè)有氧化層，能夠使第二柵極多晶硅層承受漏極電壓，不用開設(shè)相應(yīng)的接口溝槽以及在接口溝槽中設(shè)置提供保護(hù)作用的氧化層，這樣MOSFET在刻蝕時(shí)由于第一溝槽至第M溝槽的整體寬度差異小于0.1um.不用擔(dān)心有顆粒殘留在溝槽中。?? |
