新型共漏雙MOSFET結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201921374651.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN210325796U | 公開（公告）日 | 2020-04-14 |
| 申請公布號 | CN210325796U | 申請公布日 | 2020-04-14 |
| 分類號 | H01L27/088(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 潘繼;徐鵬 | 申請（專利權(quán)）人 | 無錫沃達(dá)科半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無錫市匯誠永信專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 朱曉林 |
| 地址 | 214000江蘇省無錫市新吳區(qū)菱湖大道200號中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園E2-401 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型公開了新型共漏雙MOSFET結(jié)構(gòu)，涉及模擬電路與數(shù)字電路的技術(shù)領(lǐng)域。新型共漏雙MOSFET結(jié)構(gòu)，通過相互靠近的FET1和FET2單元，使得電流在晶圓中都是在相鄰的FET1和FET2單元之間流動，這樣大大減小了電流在介質(zhì)中的傳輸距離，從而避免了電流在介質(zhì)中長距離的輸送導(dǎo)致的導(dǎo)通電阻，同時使得圓晶厚度與電流的傳輸距離的影響變小，進(jìn)而使得圓晶無需做的很薄，從而降低了工藝難度，再者在不需要較大面積的FET1和FET2同時不需要晶圓背面的厚金屬，因此避免了成品的MOSFET在晶圓上受到應(yīng)力影響，同時避免晶圓的翹曲。?? |
