平面結(jié)構(gòu)溝道金氧半場(chǎng)效晶體管及其加工方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910555620.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110176500A 公開(kāi)（公告）日 2019-08-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN110176500A 申請(qǐng)公布日 2019-08-27
分類(lèi)號(hào) H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/06 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 潘繼;徐鵬 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 無(wú)錫沃達(dá)科半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無(wú)錫市匯誠(chéng)永信專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王闖;葛莉華
地址 214000 江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)菱湖大道200號(hào)中國(guó)傳感網(wǎng)國(guó)際創(chuàng)新園E2-401
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種平面結(jié)構(gòu)溝道金氧半場(chǎng)效晶體管及其加工方法。平面結(jié)構(gòu)溝道金氧半場(chǎng)效晶體管包括基體，基體自下而上分別包括第一基板和第二基板，第一基板為P型晶圓基板，第二基板經(jīng)過(guò)深N?阱工藝處理。第二基板的上表面形成有多個(gè)相互間隔的溝道，溝道中形成有柵極，溝道的相鄰兩側(cè)分別形成有源極和漏極，柵極、源極和漏極位于基體的同側(cè)。本發(fā)明中溝道型柵極和同側(cè)設(shè)置的柵極、源極和漏極結(jié)構(gòu)可以提高導(dǎo)通性能，減小單元間距，從而降低集成電源芯片的單位導(dǎo)通電阻，提高導(dǎo)通性能，并將同性能條件下的晶體管面積減小一半左右，同時(shí)便于在同一基體上集成多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)。