一種實現(xiàn)電磁屏蔽的SIP封裝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910851768.2 申請日 -
公開（公告）號 CN110634849A 公開（公告）日 2019-12-31
申請公布號 CN110634849A 申請公布日 2019-12-31
分類號 H01L25/065（2006.01）; H01L23/31（2006.01）; H01L23/60（2006.01）; H01L21/56（2006.01）; H01L23/48（2006.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 姜顯揚; 陳木市; 王德富; 徐欣 申請（專利權(quán)）人 蘇州中科安源信息技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 杭州君度專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 蘇州中科安源信息技術(shù)有限公司; 杭州電子科技大學(xué)
地址 215002 江蘇省蘇州市吳中區(qū)蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城西北區(qū)01幢（NW-01幢）701室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種實現(xiàn)電磁屏蔽的SIP封裝方法。傳統(tǒng)采用表面金屬化防輻射干擾，增加了模塊連接的尺寸。本發(fā)明方法首先對SIP模塊中的MCU芯片和Flash存儲芯片的上下表面使用吸收材料進行全表面涂抹，形成屏蔽層，采用的吸收材料為石墨烯。采用上下疊層的封裝方法，將MCU芯片和Flash存儲芯片采用SPI總線連接，進行相互通信。然后通過正向鍵合方式將MCU芯片與基板連接，通過反向鍵合方式將Flash存儲芯片與基板連接。本發(fā)明方法可以有效吸收電磁波，減少滲透到芯片中的電磁場，進而提高信號的傳輸質(zhì)量以及減少EMI問題。引線采用反向的方式鍵合，能夠有效減少堆疊封裝的高度。