一種滴狀冷凝金屬材料的制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN91100649.4 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN1063907A | 公開(公告)日 | 1992-08-26 |
申請公布號 | CN1063907A | 申請公布日 | 1992-08-26 |
分類號 | C23C14/16;C23C14/34;F28F13/04;F28F19/06 | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 趙起;李桂芹;汪國強(qiáng);朱曉波;張殿富;李松平 | 申請(專利權(quán))人 | 大連發(fā)電總廠 |
代理機(jī)構(gòu) | 大連市專利服務(wù)中心 | 代理人 | 郭麗華 |
地址 | 116024遼寧省大連市凌水河 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種滴狀冷凝金屬材料的制備方法,它是將烷烴及沉積于表面的鉻金屬層強(qiáng)化固溶于黃銅基體中,形成具有滴狀冷凝作用的Cu-Cr-烷烴的合金層。其離子鍍膜是在氬氣分壓為1~1.5×10-2mmHg,烷烴氣體分壓為1~1.5×10-2mmHg,向待鍍工件施加1500~2000V電壓,0.1~0.3A電流,同時使鉻靶處于500~600V電壓10~15A電流條件下鍍膜15~40秒。離子濺射是在氬氣分壓為2~3×10-2mmHg、待鍍工件電壓1500~2000V、電流0.1~0.3A時,濺射10~15分鐘。 |
