一種在零偏角襯底上外延碳化硅的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510490653.7 申請日 -
公開（公告）號 CN105140106B 公開（公告）日 2018-04-20
申請公布號 CN105140106B 申請公布日 2018-04-20
分類號 H01L21/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉興昉;劉斌;閆果果;劉勝北;王雷;趙萬順;張峰;孫國勝;曾一平 申請（專利權(quán)）人 廈門紫硅半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 代理人 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所;廈門肖克利能源技術(shù)有限公司;廈門紫硅半導(dǎo)體科技有限公司
地址 100083 北京市海淀區(qū)清華東路甲35號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種在零偏角襯底上外延碳化硅的方法，包括：步驟1：取一零偏角襯底并清洗；步驟2：在零偏角襯底之上外延硅層；步驟3：升高溫度使硅層熔化形成熔融硅層；步驟4：通入碳源，使熔融硅層轉(zhuǎn)變成碳化硅層；步驟5：判斷碳化硅層是否達到所需厚度，如果未達到，則重復(fù)執(zhí)行步驟2～步驟4；如果達到，則執(zhí)行步驟6；步驟6：將未轉(zhuǎn)變成碳化硅層的硅層腐蝕掉，留下完整的碳化硅。本發(fā)明利用液硅浸潤碳化硅外延表面，并將體系溫度升高，提高碳源在液硅中的溶解度，隨之采用液相外延生長方法在零偏角碳化硅襯底上進行同質(zhì)外延生長，可以防止外延層中出現(xiàn)相疇、晶界等缺陷，提高外延層品質(zhì)，具有很大優(yōu)勢。