一種在零偏角襯底上外延碳化硅的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510490653.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN105140106A 公開（公告）日 2015-12-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN105140106A 申請(qǐng)公布日 2015-12-09
分類號(hào) H01L21/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉興昉;劉斌;閆果果;劉勝北;王雷;趙萬順;張峰;孫國(guó)勝;曾一平 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門紫硅半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 代理人 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所;廈門肖克利能源技術(shù)有限公司;廈門紫硅半導(dǎo)體科技有限公司
地址 100083 北京市海淀區(qū)清華東路甲35號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種在零偏角襯底上外延碳化硅的方法，包括：步驟1：取一零偏角襯底并清洗；步驟2：在零偏角襯底之上外延硅層；步驟3：升高溫度使硅層熔化形成熔融硅層；步驟4：通入碳源，使熔融硅層轉(zhuǎn)變成碳化硅層；步驟5：判斷碳化硅層是否達(dá)到所需厚度，如果未達(dá)到，則重復(fù)執(zhí)行步驟2～步驟4；如果達(dá)到，則執(zhí)行步驟6；步驟6：將未轉(zhuǎn)變成碳化硅層的硅層腐蝕掉，留下完整的碳化硅。本發(fā)明利用液硅浸潤(rùn)碳化硅外延表面，并將體系溫度升高，提高碳源在液硅中的溶解度，隨之采用液相外延生長(zhǎng)方法在零偏角碳化硅襯底上進(jìn)行同質(zhì)外延生長(zhǎng)，可以防止外延層中出現(xiàn)相疇、晶界等缺陷，提高外延層品質(zhì)，具有很大優(yōu)勢(shì)。