ALD設(shè)備及應(yīng)用于ALD設(shè)備的反應(yīng)源擴散分布檢測與控制方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410154760.8 申請日 -
公開（公告）號 CN103882410B 公開（公告）日 2016-05-18
申請公布號 CN103882410B 申請公布日 2016-05-18
分類號 C23C16/455(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 趙萬順;張峰;王雷;曾一平 申請（專利權(quán)）人 廈門紫硅半導體科技有限公司
代理機構(gòu) 中科專利商標代理有限責任公司 代理人 中國科學院半導體研究所;廈門肖克利能源技術(shù)有限公司;廈門紫硅半導體科技有限公司
地址 100083 北京市海淀區(qū)清華東路甲35號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種ALD設(shè)備及應(yīng)用于ALD設(shè)備的反應(yīng)源擴散分布檢測與控制方法。ALD設(shè)備包括蓋板和與蓋板配合的主體腔室，蓋板的內(nèi)表面設(shè)置有至少兩個氣路單元組，每個氣路單元組包括至少一個氣路單元，該至少兩個氣路單元組用于通入不同的反應(yīng)源氣體；每個氣路單元包括第一氣流通道、第一間隔層、第二氣流通道、第二間隔層；第一氣流通道用于通入反應(yīng)源氣體；第二氣流通道用于將未發(fā)生反應(yīng)的反應(yīng)源氣體抽出；第一間隔層設(shè)于第一氣流通道與第二氣流通道之間，第二間隔層設(shè)于第二氣流通道和第三氣流通道之間。本發(fā)明能夠提高原子層外延的速度，節(jié)省單項工藝時間，調(diào)節(jié)原子層外延的生長速率。