帶離子阱的脈沖式輝光放電離子源

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210448724.3 申請日 -
公開（公告）號 CN102945785B 公開（公告）日 2016-01-20
申請公布號 CN102945785B 申請公布日 2016-01-20
分類號 H01J49/10(2006.01)I;H01J49/12(2006.01)I;G01N27/62(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉立秋;馬軍;張偉;顏毅堅;徐翔;張亦揚 申請（專利權(quán)）人 上海矽感信息科技（集團）有限公司
代理機構(gòu) 深圳市中原力和專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 武漢矽感科技有限公司;深圳市證譜智能科技有限公司
地址 430000 湖北省武漢市東西湖區(qū)五環(huán)大道31號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種帶離子阱的脈沖式輝光放電離子源，包括：電源、能夠產(chǎn)生離子的放電體C和離子引出電極B2，放電體C的高壓端連接電源，低壓端通過相互串聯(lián)的限流電阻R1和高壓開關(guān)S1接地，離子引出電極B2的一端通過分壓電阻R3連接放電體C的高壓端，另一端通過相互串聯(lián)的分壓電阻R2和高壓開關(guān)S2接地，放電體C包括兩個位置相對的正負放電電極和筒狀可提供穩(wěn)定的脈沖輝光放電區(qū)域的離子源電極筒，該正負放電電極通過開設(shè)在離子源電極筒側(cè)壁上的開孔伸入到離子源電極筒內(nèi)。本發(fā)明所述脈沖式輝光放電離子源，實現(xiàn)了脈沖離子流強度及脈寬的可調(diào)控。同時克服了離子附著離子源管壁的問題，減少了離子損失，提高了離子引出率。