一種接觸窗的形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810489030.1 申請日 -
公開（公告）號 CN108751123B 公開（公告）日 2022-05-20
申請公布號 CN108751123B 申請公布日 2022-05-20
分類號 B81C1/00（2006.01）I 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 張光瑞;馬琳;陸原 申請（專利權(quán)）人 賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司
代理機構(gòu) 北京眾達德權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 100176北京市大興區(qū)經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)科創(chuàng)十四街99號33幢D棟二層2208號（集中辦公區(qū)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種接觸窗的形成方法，包括：提供襯底，所述襯底上依次設(shè)置有歐姆接觸層、接觸窗層和保護層；在保護層上形成開設(shè)有第一腔的光阻層；刻蝕去除第一腔下的保護層材料，在保護層上形成第二腔；采用第一混合氣體刻蝕去除第二腔下的接觸窗層材料，形成接觸窗；其中，第一混合氣體包括C5F8和CO，其中，C5F8生成CxFy聚合物和F離子，CxFy聚合物能保護保護層，CO與F離子形成的COF聚合物能在刻蝕接觸窗層材料的過程中保護歐姆接觸層。本發(fā)明提供的方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中制備MEMS器件的接觸窗，存在的所制備器件的良率和可靠性低的技術(shù)問題。實現(xiàn)了提高器件的良率和可靠性的技術(shù)效果。