一種p型AlGaN外延薄膜及其制備方法和應(yīng)用
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201810373012.7 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN108767055A | 公開（公告）日 | 2018-11-06 |
| 申請公布號 | CN108767055A | 申請公布日 | 2018-11-06 |
| 分類號 | H01L31/18;H01L31/0304;H01L31/08 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 許福軍;沈波;王明星;解楠;孫元浩;劉百銀;王新強;秦志新 | 申請（專利權(quán)）人 | 北京中博芯半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 北京大學(xué);北京中博芯半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 地址 | 100871 北京市海淀區(qū)頤和園路5號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種p型AlGaN外延薄膜及其制備方法和應(yīng)用。所述制備方法包括：在化學(xué)氣相沉積法制備AlGaN過程中，對生長中斷過程中Ga和Al金屬原子的脫附速率進(jìn)行控制，得到具有周期變化的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN超晶格結(jié)構(gòu)的p型AlGaN外延薄膜；其中，x |
