基于納米圖形硅襯底制備高質(zhì)量厚膜AlN的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201810801132.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN109103070B | 公開(kāi)（公告）日 | 2018-12-28 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109103070B | 申請(qǐng)公布日 | 2018-12-28 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/02(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 楊學(xué)林;沈波;沈劍飛;張潔;馮玉霞;許福軍;王新強(qiáng);唐寧 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 北京中博芯半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京萬(wàn)象新悅知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 李稚婷 |
| 地址 | 101300北京市順義區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)順義園臨空二路1號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種基于納米圖形硅襯底制備高質(zhì)量厚膜AlN的方法，通過(guò)該方法獲得的層狀疊加AlN材料，從下向上依次為：納米圖形硅襯底、納米圖形AlN成核層、高溫AlN橫向生長(zhǎng)層和高溫AlN縱向生長(zhǎng)層，在納米圖形硅襯底、納米圖形AlN成核層和高溫AlN橫向生長(zhǎng)層中具有周期性排布的空氣隙，所述空氣隙在Si襯底中的深度為10nm～1μm，其橫截面最大寬度為50nm～1μm，周期為100nm～2μm。與現(xiàn)有生長(zhǎng)厚膜AlN的方法相比，本發(fā)明成本低廉，可被大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，大幅降低硅襯底上AlN的缺陷密度，提高后續(xù)器件結(jié)構(gòu)材料的晶體質(zhì)量，在垂直結(jié)構(gòu)的UV?LED器件、微機(jī)電系統(tǒng)、發(fā)光二極管、射頻濾波器以及聲表面波器件制造和高頻寬帶通信等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。?? |
