一種p型AlGaN外延薄膜及其制備方法和應(yīng)用

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810373012.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN108767055B 公開(kāi)（公告）日 2018-11-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN108767055B 申請(qǐng)公布日 2018-11-06
分類號(hào) H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 許福軍;沈波;王明星;解楠;孫元浩;劉百銀;王新強(qiáng);秦志新 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京中博芯半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 北京大學(xué);北京中博芯半導(dǎo)體科技有限公司
地址 100871北京市海淀區(qū)頤和園路5號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種p型AlGaN外延薄膜及其制備方法和應(yīng)用。所述制備方法包括：在化學(xué)氣相沉積法制備AlGaN過(guò)程中，對(duì)生長(zhǎng)中斷過(guò)程中Ga和Al金屬原子的脫附速率進(jìn)行控制，得到具有周期變化的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN超晶格結(jié)構(gòu)的p型AlGaN外延薄膜；其中，x