一種硅上高遷移率GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510037027.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN104576714B 公開(kāi)（公告）日 2017-11-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN104576714B 申請(qǐng)公布日 2017-11-07
分類號(hào) H01L29/06(2006.01)I;H01L29/205(2006.01)I;H01L29/207(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊學(xué)林;沈波;程建朋;桑玲;許福軍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京中博芯半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京萬(wàn)象新悅知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 北京大學(xué);北京中博芯半導(dǎo)體科技有限公司
地址 100871 北京市海淀區(qū)頤和園路5號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種硅襯底上高遷移率GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)及其制備方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)為層狀疊加結(jié)構(gòu)，從下向上的材料依次為：硅襯底、成核層、應(yīng)力和缺陷控制層、外延層、溝道層、插入層和勢(shì)壘層，其中應(yīng)力和缺陷控制層為AlGaN層，其厚度為10nm?10μm；且Al摩爾組分為1?26％。與現(xiàn)有的較繁瑣的硅上GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延技術(shù)相比，本發(fā)明可以大幅降低缺陷密度，提高異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料的晶體質(zhì)量，十分適合于低成本的高頻、高功率器件的研制。