一種抑制硅基氮化鎵射頻器件的射頻損耗的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910429057.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110211867A 公開(kāi)（公告）日 2019-09-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN110211867A 申請(qǐng)公布日 2019-09-06
分類號(hào) H01L21/02（2006.01）I; H01L21/335（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊學(xué)林; 沈波; 魏來(lái); 張潔; 馮玉霞; 沈劍飛; 劉丹爍; 蔡子?xùn)|; 馬騁 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京中博芯半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京萬(wàn)象新悅知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 北京大學(xué);北京中博芯半導(dǎo)體科技有限公司
地址 100871 北京市海淀區(qū)頤和園路5號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種抑制硅基氮化鎵射頻器件的射頻損耗的方法，在外延層生長(zhǎng)之前預(yù)通氨氣，對(duì)硅襯底進(jìn)行氮化預(yù)處理，在硅襯底上形成一層無(wú)定形的氮化硅薄膜，從而形成一個(gè)鋁原子擴(kuò)散的壁壘，這個(gè)壁壘阻擋了鋁原子擴(kuò)散，從而降低了外延生長(zhǎng)后硅襯底的導(dǎo)電能力，使其維持在高阻狀態(tài)，減小了射頻器件工作時(shí)候的射頻損耗。本發(fā)明對(duì)硅襯底的通氨氣氮化預(yù)處理所用時(shí)間為秒級(jí)，幾乎不占用工廠的機(jī)時(shí)，有利于工業(yè)生產(chǎn)控制成本。