一種異質(zhì)襯底上GaN連續(xù)厚膜的外延生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711400432.1 申請日 -
公開（公告）號 CN108172501A 公開（公告）日 2018-06-15
申請公布號 CN108172501A 申請公布日 2018-06-15
分類號 H01L21/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊學(xué)林;沈波;張潔;馮玉霞;沈劍飛;魏來;楊志堅;王新強 申請（專利權(quán)）人 北京中博芯半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 北京萬象新悅知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 北京大學(xué);北京中博芯半導(dǎo)體科技有限公司
地址 100871 北京市海淀區(qū)頤和園路5號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公布了一種異質(zhì)襯底上GaN連續(xù)厚膜的外延生長方法，在異質(zhì)襯底上依次生長氮化鋁成核層、鋁鎵氮層、氮化鎵位錯過濾層和氮化鎵外延層，通過采用獨特的氮化鎵位錯過濾層，有效克服了現(xiàn)有異質(zhì)襯底上GaN厚膜材料外延技術(shù)上的復(fù)雜性，使外延工藝簡單且快捷有效，穩(wěn)定性高，同時能大幅降低缺陷密度，獲得GaN連續(xù)厚膜，提高異質(zhì)結(jié)構(gòu)晶體質(zhì)量，十分適合于低成本的垂直GaN電子器件的研制。