一種降低n型AlGaN系材料的接觸電阻的方法及其應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910209262.1 申請日 -
公開（公告）號 CN110021690A 公開（公告）日 2019-07-16
申請公布號 CN110021690A 申請公布日 2019-07-16
分類號 H01L33/32;H01L33/00;H01L21/324;H01L21/306 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 許福軍;沈波;張娜;康香寧;秦志新;于彤軍;吳潔君 申請（專利權(quán)）人 北京中博芯半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 北京大學(xué)
地址 100871 北京市海淀區(qū)頤和園路5號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種降低n型AlGaN系材料的接觸電阻的方法及其應(yīng)用。所述降低n型AlGaN系材料的接觸電阻的方法，包括：先通過刻蝕去除1/5?1/2深度的n?AlGaN層，再對刻蝕后的n?AlGaN層表面進(jìn)行高溫處理。所述方法解決了現(xiàn)有高Al組分n?AlGaN材料的歐姆接觸問題，顯著降低高Al組分n?AlGaN材料的接觸電阻，提高了材料的電學(xué)性能，由其制得的相關(guān)器件的工作電壓可大幅降低，大大減少了器件的散熱，進(jìn)一步提高了器件的性能。