用于檢測氮化鎵基異質(zhì)結(jié)構(gòu)中陷阱態(tài)的檢測方法和結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510921283.8 申請日 -
公開（公告）號 CN105466970B 公開（公告）日 2018-02-13
申請公布號 CN105466970B 申請公布日 2018-02-13
分類號 G01N27/00;G01R31/26;H01L29/06 分類 測量；測試;
發(fā)明人 楊學(xué)林;沈波;胡安琪;郭磊;程建朋;張潔 申請（專利權(quán)）人 北京中博芯半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 北京萬象新悅知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 北京大學(xué);北京中博芯半導(dǎo)體科技有限公司
地址 100871 北京市海淀區(qū)頤和園路5號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公布了一種用于檢測GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)中陷阱態(tài)的檢測方法和檢測結(jié)構(gòu)，首先制備得到用于檢測氮化鎵(GaN)基異質(zhì)結(jié)構(gòu)中陷阱態(tài)的檢測結(jié)構(gòu)，再對氮化鎵(GaN)基異質(zhì)結(jié)構(gòu)中陷阱態(tài)進行檢測，利用襯底和樣品表面的導(dǎo)電特性，在樣品的表面和襯底背面形成三端的歐姆接觸，通過分別施加橫向和縱向電應(yīng)力來研究高場下熱電子的俘獲和發(fā)射過程，進而通過改變樣品結(jié)構(gòu)，最終確定樣品中的陷阱位置是位于氮化鎵溝道層、氮化鎵外延層還是勢壘層，還可獲得陷阱的局域態(tài)信息。本發(fā)明方法簡單且快捷有效，能夠確定GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)中陷阱態(tài)，有利于進一步提高器件可靠性。