一種減小單晶金剛石內(nèi)應(yīng)力的處理方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110213162.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113005517A 公開（公告）日 2021-06-22
申請公布號 CN113005517A 申請公布日 2021-06-22
分類號 C30B29/04;C30B25/00;C30B33/02 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王斌;王連忠;盧澤;余軍火;楊成武 申請（專利權(quán)）人 廊坊西波爾鉆石技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 北京維正專利代理有限公司 代理人 侯巍巍
地址 065000 河北省廊坊市大廠潮白河工業(yè)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及單晶金剛石制備的技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種減小單晶金剛石內(nèi)應(yīng)力的處理方法。包括以下步驟：金剛石籽晶的準備；單晶金剛石的生長?高溫退火處理：金剛石籽晶進行生長與高溫退火處理，每生長一次后進行高溫退火一次，生長和高溫退火處理交替進行，高溫退火次數(shù)為2~5次，直至單晶金剛石生長到5.0?5.5mm；單晶金剛石的高溫退火處理條件：高溫退火溫度為1000?2000℃，時間為30?90min。本申請的方法操作簡單、易于實現(xiàn)，簡化了工藝流程，節(jié)約時間和成本，本申請制得的單晶金剛石具有內(nèi)應(yīng)力小、表面質(zhì)量以及內(nèi)部質(zhì)量高、裂紋少以及成品率高的優(yōu)點。