一種磁控濺射產(chǎn)生碳離子的組件及ta-C膜沉積設(shè)備
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202123449761.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN216891179U | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-07-05 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN216891179U | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-05 |
| 分類(lèi)號(hào) | C23C14/35（2006.01）I;C23C14/06（2006.01）I | 分類(lèi) | 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 郎文昌;林琪澳;章柯;張振華;張祖航 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 溫州職業(yè)技術(shù)學(xué)院 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 溫州名創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 325000浙江省溫州市甌海區(qū)東方南路38號(hào)溫州市國(guó)家大學(xué)科技園孵化器 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型屬于真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種磁控濺射產(chǎn)生碳離子的組件及ta?C膜沉積設(shè)備。本實(shí)用新型的磁控濺射產(chǎn)生碳離子的組件，其中設(shè)有的兩個(gè)第一靶材相對(duì)設(shè)置，當(dāng)?shù)入x子體中的粒子轟擊第一靶材，形成的帶正電的離子和不帶電的顆粒向兩個(gè)第一靶材中間的區(qū)域運(yùn)動(dòng)，帶正電的離子在電磁場(chǎng)的作用下，離開(kāi)濺射區(qū)，進(jìn)入到磁場(chǎng)導(dǎo)向區(qū)，通過(guò)離子出口進(jìn)入真空腔室，進(jìn)行沉積，而絕大多數(shù)不帶電的碳顆粒保留在濺射區(qū)，進(jìn)一步與等離子體中的粒子碰撞形成碳離子，本實(shí)用新型既能大大減少沉積區(qū)域的碳顆粒數(shù)量，同時(shí)不影響沉積速度。 |
