一種電弧離子鍍裝置及ta-C沉積鍍膜裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202123451867.3 申請日 -
公開（公告）號 CN216891174U 公開（公告）日 2022-07-05
申請公布號 CN216891174U 申請公布日 2022-07-05
分類號 C23C14/32（2006.01）I;C23C14/06（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 章柯;郎文昌;張祖航;張振華;林琪澳 申請（專利權(quán)）人 溫州職業(yè)技術(shù)學院
代理機構(gòu) 溫州名創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 325000浙江省溫州市甌海區(qū)東方南路38號溫州市國家大學科技園孵化器
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型屬于真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種電弧離子鍍裝置及ta?C沉積鍍膜裝置。其包括具有一端封閉且另一端為開口的直筒方形狀空腔的離子鍍殼體，其內(nèi)固定有兩組陰極弧源組件，其相對直筒方形狀空腔中心軸傾斜一定角度或平行，工作后，陰極弧源組件靶材表面產(chǎn)生沉積的正離子和不帶電的粒子，當所鍍工件接入偏壓電源負極，正離子在導引磁場及輔助陽極形成的電磁驅(qū)動作用下向所鍍工件方向運動，在負偏壓作用下沉積在工件表面形成鍍膜，而不帶電的粒子沿其本身的速度方向向前移動，沉積在另一個碳靶或離子鍍殼體內(nèi)壁上。離子鍍殼體的體積大，路程短，并且直接與真空腔體相連，沉積速率將大幅度提升。