一種磁控濺射產(chǎn)生碳離子的組件及ta-C膜沉積設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202123449761.X 申請日 -
公開（公告）號 CN216891179U 公開（公告）日 2022-07-05
申請公布號 CN216891179U 申請公布日 2022-07-05
分類號 C23C14/35（2006.01）I;C23C14/06（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 郎文昌;林琪澳;章柯;張振華;張祖航 申請（專利權(quán)）人 溫州職業(yè)技術(shù)學(xué)院
代理機構(gòu) 溫州名創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 325000浙江省溫州市甌海區(qū)東方南路38號溫州市國家大學(xué)科技園孵化器
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型屬于真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種磁控濺射產(chǎn)生碳離子的組件及ta?C膜沉積設(shè)備。本實用新型的磁控濺射產(chǎn)生碳離子的組件，其中設(shè)有的兩個第一靶材相對設(shè)置，當(dāng)?shù)入x子體中的粒子轟擊第一靶材，形成的帶正電的離子和不帶電的顆粒向兩個第一靶材中間的區(qū)域運動，帶正電的離子在電磁場的作用下，離開濺射區(qū)，進入到磁場導(dǎo)向區(qū)，通過離子出口進入真空腔室，進行沉積，而絕大多數(shù)不帶電的碳顆粒保留在濺射區(qū)，進一步與等離子體中的粒子碰撞形成碳離子，本實用新型既能大大減少沉積區(qū)域的碳顆粒數(shù)量，同時不影響沉積速度。