一種電弧離子鍍裝置及ta-C沉積鍍膜裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202123451867.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN216891174U 公開（公告）日 2022-07-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN216891174U 申請(qǐng)公布日 2022-07-05
分類號(hào) C23C14/32（2006.01）I;C23C14/06（2006.01）I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 章柯;郎文昌;張祖航;張振華;林琪澳 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 溫州職業(yè)技術(shù)學(xué)院
代理機(jī)構(gòu) 溫州名創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 325000浙江省溫州市甌海區(qū)東方南路38號(hào)溫州市國(guó)家大學(xué)科技園孵化器
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型屬于真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種電弧離子鍍裝置及ta?C沉積鍍膜裝置。其包括具有一端封閉且另一端為開口的直筒方形狀空腔的離子鍍殼體，其內(nèi)固定有兩組陰極弧源組件，其相對(duì)直筒方形狀空腔中心軸傾斜一定角度或平行，工作后，陰極弧源組件靶材表面產(chǎn)生沉積的正離子和不帶電的粒子，當(dāng)所鍍工件接入偏壓電源負(fù)極，正離子在導(dǎo)引磁場(chǎng)及輔助陽極形成的電磁驅(qū)動(dòng)作用下向所鍍工件方向運(yùn)動(dòng)，在負(fù)偏壓作用下沉積在工件表面形成鍍膜，而不帶電的粒子沿其本身的速度方向向前移動(dòng)，沉積在另一個(gè)碳靶或離子鍍殼體內(nèi)壁上。離子鍍殼體的體積大，路程短，并且直接與真空腔體相連，沉積速率將大幅度提升。