一種減少光反射損失的單晶硅片制絨方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111286568.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114093960A 公開（公告）日 2022-02-25
申請公布號 CN114093960A 申請公布日 2022-02-25
分類號 H01L31/0236（2006.01）I;H01L31/06（2012.01）I;H01L31/18（2006.01）I;B82Y30/00（2011.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王璐;樂雄英;陸祥;朱娜;李新岳;潘冬新 申請（專利權(quán)）人 江蘇潤陽悅達(dá)光伏科技有限公司
代理機構(gòu) 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 毛姍
地址 224005江蘇省鹽城市鹽城市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)湘江路58號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種減少光反射損失的單晶硅片制絨方法，包括：（1）將氫氧化鉀溶液與雙氧水混合得到溶液A，將硅片在溶液A中清洗去除表面臟污；（2）將氫氧化鉀溶液與制絨添加劑混合得到溶液B，將硅片在溶液B中腐蝕形成金字塔絨面；（3）將氫氧化鉀溶液與雙氧水混合得到溶液C，將硅片在溶液C中清洗去除表面殘留物；（4）將HF與HCl混合得到溶液D，將硅片在溶液D中繼續(xù)去除表面殘留物，營造酸性環(huán)境；（5）將硝酸銀溶液、氫氟酸和雙氧水混合得到溶液E，將硅片在溶液E中離子腐蝕，在金字塔表面形成納米級的坑洞；（6）將氫氧化鉀溶液與雙氧水混合得到溶液F，將硅片置于溶液F中去除硅片表面殘留物與多余的銀離子，避免造成Rs過低。