圖像傳感器
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202122157702.9 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN215988761U | 公開(公告)日 | 2022-03-08 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN215988761U | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-08 |
分類號(hào) | H01L27/146(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 孫賽;石文杰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 思特威(上海)電子科技股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海波拓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 蔡光仟 |
地址 | 200120上海市浦東新區(qū)中國(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)祥科路111號(hào)3號(hào)樓6樓612室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種圖像傳感器,圖像傳感器包括電路連接層、光學(xué)結(jié)構(gòu)層以及位于電路連接層和光學(xué)結(jié)構(gòu)層之間的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層,半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層包括第一半導(dǎo)體襯底以及設(shè)于第一半導(dǎo)體襯底與光學(xué)結(jié)構(gòu)層之間的第二半導(dǎo)體襯底,第一半導(dǎo)體襯底靠近第二半導(dǎo)體襯底的一側(cè)或/和第二半導(dǎo)體襯底靠近第一半導(dǎo)體襯底的一側(cè)設(shè)有第一調(diào)光結(jié)構(gòu),第二半導(dǎo)體襯底靠近光學(xué)結(jié)構(gòu)層的一側(cè)設(shè)有第二調(diào)光結(jié)構(gòu),第一調(diào)光結(jié)構(gòu)和第二調(diào)光結(jié)構(gòu)構(gòu)成調(diào)制單元,調(diào)制單元用于調(diào)制不同波長的光線,第一凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)填充有第一介質(zhì)結(jié)構(gòu)層,第二凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)填充有第二介質(zhì)結(jié)構(gòu)層??梢栽黾訉?duì)不同光線的探測(cè)效率,而且還能降低光線在第二半導(dǎo)體襯底表面上的反射。 |
