一種CMOS圖像傳感器及電子裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010944584.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114171541A 公開（公告）日 2022-03-11
申請公布號 CN114171541A 申請公布日 2022-03-11
分類號 H01L27/146（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王強(qiáng) 申請（專利權(quán)）人 思特威（上海）電子科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海波拓知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張媛
地址 200120上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)祥科路111號3號樓6樓612室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種CMOS圖像傳感器及電子裝置，其中，CMOS圖像傳感器包括像素陣列區(qū)及圍繞于像素陣列區(qū)邊緣的金屬層。金屬層靠近像素陣列區(qū)邊緣的內(nèi)側(cè)設(shè)有多個(gè)應(yīng)力抵消槽。多個(gè)應(yīng)力抵消槽用于消減在像素陣列區(qū)上進(jìn)行上層工藝時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力對所述像素陣列區(qū)的影響。因此，本發(fā)明提供的CMOS圖像傳感器中像素陣列區(qū)外圍的金屬層上設(shè)有多個(gè)應(yīng)力抵消槽，該應(yīng)力抵消槽內(nèi)能夠產(chǎn)生應(yīng)力抵消效應(yīng)，能夠避免或改善進(jìn)行上層工藝時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力對像素陣列區(qū)的負(fù)面影響（例如避免或改善像素陣列區(qū)的微透鏡層的邊緣厚度不均的問題），進(jìn)而，本發(fā)明提供的CMOS圖像傳感器為黑白CMOS圖像傳感器時(shí)，能夠使得圖像的亮度均一性得到改善。