一種釹鐵硼稀土永磁器件的混合鍍膜設(shè)備及制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410107545.2 申請日 -
公開（公告）號 CN103839641B 公開（公告）日 2016-10-05
申請公布號 CN103839641B 申請公布日 2016-10-05
分類號 H01F1/057(2006.01)I;H01F41/02(2006.01)I;C22C33/02(2006.01)I;C22C38/00(2006.01)I;B22F9/08(2006.01)I;B22F3/16(2006.01)I;C23C14/22(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳曉東;孫寶玉 申請（專利權(quán)）人 沈陽中北真空設(shè)備有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 110168 遼寧省沈陽市近海經(jīng)濟(jì)區(qū)近海大街19號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種釹鐵硼稀土永磁器件的混合鍍膜設(shè)備及制造方法，鍍膜設(shè)備設(shè)有真空室、圓柱旋轉(zhuǎn)陰極磁控靶、平面陰極磁控靶、多弧離子靶、轉(zhuǎn)架和料筐。工作時轉(zhuǎn)架在真空室內(nèi)公轉(zhuǎn)，網(wǎng)狀料筐兩端有轉(zhuǎn)軸安裝在轉(zhuǎn)架上即隨著轉(zhuǎn)架公轉(zhuǎn)又自轉(zhuǎn)。圓柱旋轉(zhuǎn)磁控靶安裝在真空室內(nèi)轉(zhuǎn)架內(nèi)部，平面磁控靶、多弧離子靶、陽極層線性離子源和加熱裝置安裝在真空室內(nèi)轉(zhuǎn)架的周圍，真空鍍膜共分3層，第一層為磁控濺射鍍層，鍍層厚度為：0.1?5μm，第二層為磁控濺射和多弧的混合鍍層，鍍層厚度為：1?15μm，第三層為磁控濺射鍍層，鍍層厚度為：0.1?5μm。采用混合鍍膜作稀土永磁器件的表面處理工序，不僅提高了稀土永磁器件的抗腐蝕能力，同時也提高了稀土永磁器件的磁性能。