一種釹鐵硼永磁器件表面涂層設(shè)備及表面涂層方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010161104.6 申請日 -
公開（公告）號 CN111218655A 公開（公告）日 2020-06-02
申請公布號 CN111218655A 申請公布日 2020-06-02
分類號 C23C14/34(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 孫昊天;陳曉東;楊威力;于勇波;裴宏偉 申請（專利權(quán)）人 沈陽中北真空設(shè)備有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 110168遼寧省沈陽市渾南區(qū)匯泉東路10-2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種釹鐵硼永磁器件的表面涂層設(shè)備和涂層方法。該設(shè)備主要包括進(jìn)料閥門、進(jìn)料室、進(jìn)料隔離閥門、真空鍍膜室、出料隔離閥門、出料室、出料閥門、濺射裝置、承載裝置。濺射裝置至少包括離子源、多弧靶、磁控濺射靶和射頻濺射靶中的2種以上組合而成，濺射裝置為3臺以上，濺射裝置中包含的靶材至少為選自Tb、Dy、Nd、Pr、Y、Nb、Al、Ti、Zr、Ni、Cr中的一種以上。工作時，需要涂層的釹鐵硼永磁器件置于承載裝置上在傳送輥上移動并順序通過進(jìn)料閥門、進(jìn)料室、進(jìn)料隔離閥門、真空鍍膜室、出料隔離閥門、出料室、出料閥門；置于承載裝置上的釹鐵硼永磁器件在真空鍍膜室內(nèi)進(jìn)行涂層。??