一種低過沖電壓單向TVS及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810812187.3 申請日 -
公開（公告）號 CN109166908B 公開（公告）日 2021-07-20
申請公布號 CN109166908B 申請公布日 2021-07-20
分類號 H01L29/06;H01L29/861;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄒有彪;劉宗賀;薛戰(zhàn) 申請（專利權(quán)）人 富芯微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京和信華成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 胡劍輝
地址 230000 安徽省合肥市高新區(qū)望江西路860號創(chuàng)新大廈521室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種低過沖電壓單向TVS，包括P型襯底和擴(kuò)散于P型襯底上、下表面的N+濃磷區(qū)，N+濃磷區(qū)分別覆蓋P型襯底上、下表面積的2/3?5/6；TVS器件上表面氧化有二氧化硅鈍化層，TVS器件上表面設(shè)有金屬電極K，TVS器件下表面設(shè)有金屬電極A；本發(fā)明還公開了所述低過沖電壓單向TVS的制造方法，包括如下步驟：步驟S1、襯底制備；步驟S2、氧化；步驟S3、濃磷區(qū)光刻；步驟S4、濃磷區(qū)擴(kuò)散；步驟S5、引線孔光刻；步驟S6、蒸鋁；步驟S7、鋁反刻；步驟S8、蒸鋁合金；步驟S9、蒸Ti?Ni?Ag合金；步驟S10、Ti?Ni?Ag反刻。本發(fā)明相對于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的單向TVS在結(jié)構(gòu)上多了一個(gè)濃磷擴(kuò)散區(qū)、少了一個(gè)濃硼擴(kuò)散區(qū)，在P型襯底下表面擴(kuò)散濃磷區(qū)，能夠有效地降低過沖電壓，增強(qiáng)器件的浪涌能力。