一種具有復(fù)合柵結(jié)構(gòu)的IGBT芯片的加工設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201921534574.1 申請日 -
公開(公告)號 CN210956591U 公開(公告)日 2020-07-07
申請公布號 CN210956591U 申請公布日 2020-07-07
分類號 H01J37/32(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 王全;楊其峰;鄒有彪;倪俠;徐玉豹;沈春福;王超 申請(專利權(quán))人 富芯微電子有限公司
代理機構(gòu) 合肥正則元起專利代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 富芯微電子有限公司
地址 230001安徽省合肥市高新區(qū)香蒲路503號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開一種具有復(fù)合柵結(jié)構(gòu)的IGBT芯片的加工設(shè)備,用于IGBT芯片原料晶圓基片的限位放置與刻蝕,包括刻蝕設(shè)備本體,設(shè)置在刻蝕設(shè)備本體下方的反應(yīng)器,反應(yīng)器內(nèi)具有反應(yīng)腔體,反應(yīng)腔體內(nèi)設(shè)置有內(nèi)襯、晶圓固定座;內(nèi)襯卡合在反應(yīng)腔體內(nèi)部的側(cè)壁內(nèi);反應(yīng)腔體的底部設(shè)有漏斗狀的清潔通道,清潔通道與渦輪泵連接;內(nèi)襯包括一筒體和與筒體一體成型的內(nèi)襯底盤;晶圓固定座包括固定座本體,固定座本體的底部設(shè)有長條狀安裝板,長條狀安裝板與放置板適配。本實用新型的加工設(shè)備可同時放置多個晶圓基片,使用等離子體對晶圓基片進行刻蝕,刻蝕形成具有平面柵、溝槽柵的復(fù)合柵結(jié)構(gòu)的IGBT芯片,大大提高了刻蝕加工效率。??