光束成像裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711184560.7 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN109830488A 公開（公告）日 2019-05-31
申請公布號(hào) CN109830488A 申請公布日 2019-05-31
分類號(hào) H01L27/146（2006.01）I; H01L33/10（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 田立飛; 劉敬偉; 張新群; 仝飛 申請（專利權(quán)）人 中科天芯科技（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 中科天芯科技（北京）有限公司;國科光芯（海寧）科技股份有限公司
地址 100000 北京市海淀區(qū)清華東路甲35號(hào)中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所杏園餐廳三樓305室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種光束成像裝置，包括：襯底層、圖形層、鈍化層和電極層，所述襯底層包括底層和表層，所述圖形層位于所述襯底層的所述表層的上方，所述圖形層包括底層和表層，所述底層為禁帶寬度不小于2.3eV，所述表層為禁帶寬度不小于2.3eV且折射率不高于所述底層；所述電極層位于所述圖形層的所述表層的上方，所述電極層包括正電極和負(fù)電極，所述正電極和所述負(fù)電極分別與所述圖形層的所述表層相接觸；所述電極層為電阻率不大于5×10?7Ω·m且與所述圖形層的接觸勢壘不大于1.5eV的具有低電阻率和低接觸勢壘的金屬、合金或金屬/氧化物復(fù)合材料。本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)：可以實(shí)現(xiàn)低成本、低傳輸損耗、高穩(wěn)定性和高均勻性的成像過程。