IGBT器件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111104116.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113571415B 公開（公告）日 2022-01-11
申請公布號 CN113571415B 申請公布日 2022-01-11
分類號 H01L21/331（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L29/36（2006.01）I;H01L21/266（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 曹功勛 申請（專利權(quán)）人 上海積塔半導體有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 羅泳文
地址 200120上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)云水路600號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種IGBT器件及其制作方法，IGBT器件包括：襯底，該襯底包括相對的第一主面及第二主面，第一主面形成有IGBT器件的正面結(jié)構(gòu)，IGBT器件包括有源區(qū)、過渡區(qū)及終端區(qū)；氧離子缺陷層，形成于過渡區(qū)及終端區(qū)的第二主面內(nèi)；集電極區(qū)，形成于襯底的第二主面；氫離子摻雜區(qū)，形成于襯底的第二主面內(nèi)，氧離子缺陷層位于氫離子摻雜區(qū)內(nèi)，其中，氧離子缺陷層的氧離子作為氫離子的吸附體從而增加氫離子摻雜區(qū)內(nèi)的氫離子的摻雜濃度。本發(fā)明在IGBT器件導通時，降低過渡區(qū)和終端區(qū)的發(fā)射效率，同時在IGBT器件關(guān)斷時，提高過渡區(qū)和終端區(qū)電子和空穴復合速度，從而有效緩解過渡區(qū)存在的電流集中問題，提高IGBT芯片的可靠性。