IGBT器件及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111123423.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113851379A 公開（公告）日 2021-12-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN113851379A 申請(qǐng)公布日 2021-12-28
分類號(hào) H01L21/331（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 曹功勛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海積塔半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 羅泳文
地址 201306上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)云水路600號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種IGBT器件及其制作方法，IGBT器件包括：襯底，襯底包括相對(duì)的第一主面及第二主面，第一主面形成有IGBT器件的正面結(jié)構(gòu)；第一導(dǎo)電類型緩沖區(qū)，位于襯底的第二主面內(nèi)；集電極區(qū)，位于襯底的第二主面；氦離子缺陷層，位于襯底的第二主面，且氦離子缺陷層位于第一導(dǎo)電類型緩沖區(qū)內(nèi)。本發(fā)明通過在IGBT器件背面增加氦離子缺陷層，實(shí)現(xiàn)在不影響通態(tài)壓降的基礎(chǔ)下，有效降低IGBT器件的關(guān)斷損耗，實(shí)現(xiàn)IGBT器件的通態(tài)壓降與關(guān)斷損耗的折中曲線往坐標(biāo)原點(diǎn)靠近，可大大提升IGBT器件的性能。